第517章 IGBT

  纪雪彤这几天回到了led实验团队。她的tofel考试已经考完了,成绩还没有出,但是她自己觉得够用了。而且想继续提高,难度很大。
  目前最重要的还是再补充一下论文数量,这个看起来,难度还小一点。
  纪雪彤原来是电子系的学生,在骆师姐的帮助下加入了童子军。她的运气不错,加入后不久就把名字署在了两篇论文上。
  随后,她更是凭借这两篇署名第三作者的论文,成功转换专业,与成永兴变成了同班同学。
  但是同班同学并没有增加她与这位钻石王老五的接触机会,除了少数的几次班级活动以外,那位很少在学生们中间出现了。
  纪雪彤是个豪爽的女孩子,换句话说,大大咧咧的,做事情不是很有耐心和细心。
  这使得她在实验的成果方面比较吃亏。到现在为止,她一直是在蹭第二作者和第三作者,第一作者一个都没有捞到。这在童子军里是罕见的。
  小组里,现在连大三的学生,也开始发表论文并署名第一作者了。
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  纪雪彤回到led实验室后,发现实验室里忙活的人,大多是学弟和学妹了。
  新的实验室已经移到led公司生产线的一侧,房间多了很多。每个房间做自己独立的课题,保密性大大加强了。
  纪雪彤转了一圈,才在一个小会议室找到正在讨论的叶静和冯言。
  成永兴早就不怎么管led的研发了,所以叶静就承担了主要的任务分配工作,尤其是led实验室这边。
  这段时间,她也是两头跑,刚从春城回到公司不久,就遇到了两个熟人。
  第一个就是刚刚从国外赶回来的冯言。
  成永兴已经先打过招呼。冯言将来会接管led公司的科研部门。
  与冯言相比,叶静在这边只是临时帮忙,过段时间,她就会彻底回到春城去了。这次见面,也算是做个交接。
  叶静对这些前检测专业的同学们异常客气,按照成永兴的脾气,如果不是这群人都跑光了,也不会轮到自己这样的第二梯队。
  所以她们两个一直在一起商量科研小组接下来的任务。
  多彩科技需要面对led零售市场,一些以前不太注意的事项,也被关注起来。
  例如,成本。
  成本有两方面,一个是原材料成本,一个是成品率。这些在垄断时期,不是特别被在意的参数和指标,都被重视了起来。
  另外,随着led光源市场的逐步打开,白光led在公司产品的占比,也会越来越大。相应的,公司的科研重心也会逐步转变。
  随着叶静这批人的毕业,童子军也会逐步分化。
  一部分的童子军成员,就会面临毕业。这些成员,部分人员会转变成多彩公司的全职研究人员。
  剩余的在校童子军成员,则进行分流。一部分虽然仍然上学,但也被当做全职人员看待,开始领工资。
  另一部分,则蜕化为业余课题小组,慢慢就会被边缘化了。
  依赖在校学生进行研发的阶段,已经过去。童子军,作为一个组织,就此不复存在。
  纪雪彤的要求,跟两位女强人一说,也就解决了。
  她的目的是第一作者的论文,而并不真正是做实验做项目。《多彩科技》手里的资源很多。大量没有发表的论文,随便找一个接近解密的,让她署一下名字就好。
  光电系已经在led及lcd行业,树立了绝对权威。只要是光电投出去的论文,在各种国际期刊上,都是通行无阻。
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  冯言这次是被迫回来的。
  她在学校里舒舒服服过了小半年,悠哉悠哉,爽得很。这段时间里,她的社交圈扩大了很多,到哪里都是焦点人物,很受欢迎。
  她的价值在这段时间不但没有降低,而且还高开高走,与很多公司都建立了联系。如果她想做项目,大把的资金和项目就会蜂拥而来。这跟郝云丽到处求项目和资金,截然相反。
  由于日子过得很舒服,她都想就这么混下去了。但是随着郝云丽的一篇大论文,她的好日子突然结束了。
  郝云丽在sce上发表一篇震动世界的论文,至少是震动了爱德华实验室。
  郝云丽以前有过一次发表在s顶级期刊的机会,但是王教授为了抢时间,放弃了。
  这次她终于如愿以偿。
  而且这篇论文不是普通的顶级论文,据爱德华教授评价,这是一篇有诺贝尔奖潜力的论文!
  这使得很多前段时间,反复与郝云丽讨价还价的实验室和机构后悔不已。
  爱德华实验室也是有机会留下郝云丽的,爱德华教授现在虽然什么也不说,但是看冯言的眼光都变了。不仅仅是他,所有人都把希望寄托在了冯言身上。
  同样的出身,类似的科研履历,冯言甚至还有产业界的支持。大家开始对她的几个月毫无作为不满了。
  郝云丽在匹兹堡大学和爱德华实验室里已经成了传说。她过去的一些战绩,例如她发表的总论文数,也被大家津津乐道。
  相应的,对冯言的期望值,也提高了不只是一个档次。
  冯言抵不住这种压力,干脆就返回了冰城。
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  与叶静讨论之后,她就去找成永兴。但是两个人一见面,她就被安排了新的任务。
  igbt。ie bipolar transistor,绝缘栅双极型晶体管,应用范围非常广泛,它包括了变频,变压,开关电源等。在后世,它的应用场景包括了轨道交通,电动汽车等。
  在1992年,igbt也不是什么新概念。
  1979年的时候,mos栅功率开关器件作为igbt概念的先驱就已经出现了。
  这个技术一面世,就吸引了世界各半导体厂家的注意。多家公司几乎同时并独立地发明了这种器件,刚开始各公司对其称谓也不同。
  随着时间的流逝,igbt的技术也日渐成熟,一些新的制造工艺(dmos)被采用,各种不同的结构,被各厂家进行试探,并有所成就。
  时间走入90年代的时候,随着大规模集成电路工艺的逐步成熟,有一些半导体生产中采用的工艺,很快就会被igbt研究人员引入。
  硅芯片的垂直结构(3d),给igbt的设计,带来了巨大的改变。
  在90年代中期,igbt的结构,先后出现了多次技术突破。
  其中比较有名的有,npt-igbt(穿透式),lpt-igbt(弱穿透),这一波里,最重要的技术是cstbt。至此第五代igbgt才算正式成熟。
  这个技术方向,成永兴盯了很久了,因为它的经济价值非常大,甚至不弱于led,但一直苦于没有人手。
  随着时间的流逝,这些技术面世的窗口,也在慢慢关闭。
  所以,冯言一回来,就被他立刻抓了差。

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